Microsemi Corporation JAN2N6796U

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

18-CLCC

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

800mW Ta 25W Tc

Turn Off Delay Time

40 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/557

已出版

1997

JESD-609代码

e4

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

15

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier

端子位置

QUAD

引脚数量

16

参考标准

MIL-19500/557

JESD-30代码

R-CQCC-N15

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

195m Ω @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

28.51nC @ 10V

上升时间

75ns

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

8A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏极-源极导通最大电阻

0.195Ohm

DS 击穿电压-最小值

100V

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant