Microsemi Corporation JAN2N6800U
- 收藏
- 对比
JAN2N6800U
1619-JAN2N6800U
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
18-CLCC
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 400V 3A 18-Pin LCC
1最小包装量--
JAN2N6800U详情
Microsemi Corporation JAN2N6800U重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
18-CLCC
Power Dissipation (Max)
800mW Ta 25W Tc
Turn Off Delay Time
35 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
系列
Military, MIL-PRF-19500/557
已出版
1997
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
资历状况
Qualified
配置
Single
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.1 Ω @ 3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
34.75nC @ 10V
上升时间
35ns
漏源电压 (Vdss)
400V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
3A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN2N6800U拓展信息
Microsemi
Microsemi
Microsemi
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation







哦! 它是空的。