Microsemi Corporation JAN2N6849

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AF Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

800mW Ta 25W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/564

已出版

1997

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

800mW

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

320m Ω @ 6.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34.8nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

6.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant