Microsemi Corporation JAN2N6898
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JAN2N6898
1619-JAN2N6898
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-204AA, TO-3
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Trans MOSFET P-CH 3-Pin(2 Tab) TO-3
1最小包装量--
JAN2N6898详情
Microsemi Corporation JAN2N6898重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-204AA, TO-3
表面安装
NO
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
25A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
1997
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
2
参考标准
MIL-19500/565C
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
200m Ω @ 15.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3000pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
TO-204AE
最大漏极电流 (Abs) (ID)
25A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
60A
DS 击穿电压-最小值
100V
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JAN2N6898拓展信息
Microsemi
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Microsemi Corporation
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