Microsemi Corporation JAN2N7236U

包装/外壳

TO-267AB

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

4W Ta 125W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A Tc

已出版

1997

系列

Military, MIL-PRF-19500/595

包装

Bulk

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

引脚数量

3

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

4W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

220m Ω @ 18A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

18A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.22Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

72A

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

辐射硬化

无