Microsemi Corporation JANTX2N6758

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

引脚数

2

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

4W Ta 75W Tc

已出版

1997

系列

Military, MIL-PRF-19500/542

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

75W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

490m Ω @ 9A, 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39nC @ 10V

上升时间

85ns

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

9A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏极-源极导通最大电阻

0.49Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

36A

DS 击穿电压-最小值

200V

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

Non-RoHS Compliant