Microsemi Corporation JANTX2N6798U

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

18-CLCC

引脚数

18

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

800mW Ta 25W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/557

已出版

1997

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

15

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

QUAD

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

参考标准

MIL-19500/557

JESD-30代码

R-CQCC-N15

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

420m Ω @ 5.5A, 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

42.07nC @ 10V

上升时间

50ns

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

5.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.42Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

22A

DS 击穿电压-最小值

200V

雪崩能量等级（Eas）

98 mJ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant