Microsemi Corporation JANTX2N6800U

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

18-CLCC

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

800mW Ta 25W Tc

Turn Off Delay Time

35 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/557

已出版

1997

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

15

附加功能

雪崩 额定

端子位置

QUAD

参考标准

MIL-19500/557

JESD-30代码

R-CQCC-N15

资历状况

Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.1 Ω @ 3A, 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34.75nC @ 10V

上升时间

35ns

漏源电压 (Vdss)

400V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

1.15Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

DS 击穿电压-最小值

400V

雪崩能量等级（Eas）

0.51 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant