Microsemi Corporation JANTXV2N6766

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AE

触点镀层

Lead, Tin

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

4W Ta 150W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

已出版

1997

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

系列

Military, MIL-PRF-19500/543

JESD-609代码

e0

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

Qualified

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

90m Ω @ 30A, 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

115nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

30A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.085Ohm

DS 击穿电压-最小值

200V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant