MRF5812GR1
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Microsemi Corporation MRF5812GR1

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型号

MRF5812GR1

utmel 编号

1619-MRF5812GR1

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC

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MRF5812GR1
MRF5812GR1 Microsemi Corporation TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC

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MRF5812GR1详情

Microsemi Corporation MRF5812GR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    15V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2002

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    哑光锡

  • 最大功率耗散

    1.25W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    40

  • 基本部件号

    MRF5812

  • 引脚数量

    8

  • 配置

    SINGLE

  • 功率 - 最大

    1.25W

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    15V

  • 最大集电极电流

    200mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    50 @ 50mA 5V

  • 增益

    13dB ~ 15.5dB

  • 转换频率

    5000MHz

  • 最大击穿电压

    15V

  • 频率转换

    5GHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    30V

  • 最高频段

    超高频B型

  • 集电极-基极电容-最大值

    2pF

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    2dB ~ 3dB @ 500MHz

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

MRF5812GR1拓展信息

MRF581A
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2N2857
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MRF559
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MRF517
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