Microsemi Corporation MRF5812GR2
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MRF5812GR2
1619-MRF5812GR2
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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TRANS NPN 15V 200MA 8-SOIC
1最小包装量--
MRF5812GR2详情
Microsemi Corporation MRF5812GR2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current-Collector (Ic) (Max)
200mA
Number of Elements
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
低噪音
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MRF5812
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SINGLE
功率 - 最大
1.25W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 50mA 5V
增益
13dB ~ 15.5dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
15V
转换频率
5000MHz
频率转换
5GHz
最大耗散功率(Abs)
1.25W
最高频段
超高频B型
集电极-基极电容-最大值
2pF
噪音数字(分贝类型@ f)
2dB ~ 3dB @ 500MHz
RoHS状态
符合RoHS标准
MRF5812GR2拓展信息














哦! 它是空的。