Microsemi Corporation MRF581AG
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MRF581AG
1619-MRF581AG
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
Macro-X
大陆
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RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X
1最小包装量--
MRF581AG详情
Microsemi Corporation MRF581AG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
OBSOLETE (Last Updated: 2 weeks ago)
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Macro-X
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
15V
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2004
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
最大功率耗散
1.25W
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
基本部件号
MRF581
引脚数量
4
配置
SINGLE
功率 - 最大
1.25W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
15V
最大集电极电流
200mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
90 @ 50mA 5V
增益
13dB ~ 15.5dB
转换频率
5000MHz
频率转换
5GHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
最高频段
超高频B型
集电极-基极电容-最大值
3pF
噪音数字(分贝类型@ f)
3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
MRF581AG拓展信息















哦! 它是空的。