Microsemi Corporation MRF581G

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

Micro-X ceramic (84C)

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

18V

Current-Collector (Ic) (Max)

200mA

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2008

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

低噪音

最大功率耗散

1.25W

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

MRF581

引脚数量

4

JESD-30代码

O-PRDB-F4

资历状况

不合格

配置

SINGLE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最大集电极电流

200mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 50mA 5V

增益

13dB ~ 15.5dB

转换频率

5000MHz

频率转换

5GHz

最高频段

超高频B型

集电极-基极电容-最大值

3pF

噪音数字(分贝类型@ f)

3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅