Microsemi Corporation MS1003

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 month ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

Surface Mount, Through Hole

安装类型

表面贴装

包装/外壳

M111

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

18V

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2004

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

带发射极镇流电阻器

最大功率耗散

270W

端子位置

UNSPECIFIED

终端形式

FLAT

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PXFM-F6

元素配置

共阴极

功率 - 最大

270W

正向电流

10A

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最大集电极电流

20A

峰值反向电流

250μA

最大重复反向电压(Vrrm)

30V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 5A 5V

增益

6dB

峰值非恢复性浪涌电流

225A

频率转换

136MHz~175MHz

最高频段

极高频率 b

集电极-基极电容-最大值

390pF

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准