Microsemi Corporation MS2204

底架

Chassis Mount, Surface Mount

安装类型

底座安装

包装/外壳

M115

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

20V

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

已出版

2004

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

600mW

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

配置

SINGLE

箱体转运

EMITTER

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

20V

最大集电极电流

300mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 100mA 5V

增益

10.8dB

最高频率

1.09GHz

频率转换

1.09GHz

集电极基极电压(VCBO)

50V

最高频段

L B

集电极-基极电容-最大值

5pF

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准