Microsemi Corporation MS2341
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MS2341
1619-MS2341
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
M115
大陆
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Trans GP BJT NPN 2.6A 4-Pin Case M115
1最小包装量--
MS2341详情
Microsemi Corporation MS2341重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Chassis Mount, Surface Mount
安装类型
底座安装
包装/外壳
M115
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Number of Elements
1
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最大功率耗散
87.5W
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
引脚数量
4
配置
SINGLE
功率耗散
87.5W
箱体转运
BASE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最大集电极电流
2.6A
增益
9dB
频率转换
1.025GHz~1.15GHz
集电极基极电压(VCBO)
65V
发射极基极电压 (VEBO)
3.5V
最高频段
L B
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
MS2341拓展信息














哦! 它是空的。