Microsemi Corporation MSC1175M

工厂交货时间

13 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

M218

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

Current-Collector (Ic) (Max)

12A

Number of Elements

1

操作温度

250°C TJ

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

400W

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

2

JESD-30代码

S-CDFM-F2

资历状况

不合格

配置

Single

箱体转运

BASE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最大集电极电流

12A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 1A 5V

增益

8dB

转换频率

1025MHz

频率转换

1.025GHz~1.15GHz

最高频段

L B

RoHS状态

符合RoHS标准