Microsemi Corporation S200-50

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

55HX

引脚数

55

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

110V

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2004

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最大功率耗散

320W

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

引脚数量

4

JESD-30代码

O-CRFM-F4

配置

SINGLE

箱体转运

EMITTER

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

110V

最大集电极电流

30A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

10 @ 1A 5V

增益

12dB ~ 14.5dB

最高频率

30MHz

频率转换

1.5MHz~30MHz

最高频段

高频b

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准