Microsemi Corporation SD1526-01
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SD1526-01
1619-SD1526-01
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
M115
大陆
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Trans GP BJT NPN 45V 1A 4-Pin Case M115
1最小包装量--
SD1526-01详情
Microsemi Corporation SD1526-01重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
13 Weeks
底架
Chassis Mount, Surface Mount
安装类型
底座安装
包装/外壳
M115
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Number of Elements
1
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
已出版
2004
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最大功率耗散
21.9W
端子位置
RADIAL
终端形式
FLAT
配置
SINGLE
箱体转运
BASE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
1A
增益
9.5dB
最高频率
1.09GHz
转换频率
1025MHz
频率转换
960MHz~1.215GHz
集电极基极电压(VCBO)
45V
最高频段
L B
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
SD1526-01拓展信息















哦! 它是空的。