Microsemi Corporation UTV010

生命周期状态

IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)

底架

Chassis, Stud

安装类型

Chassis, Stud Mount

包装/外壳

55FT

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

24V

Number of Elements

1

操作温度

200°C TJ

包装

Bulk

已出版

1996

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

15W

端子位置

RADIAL

终端形式

FLAT

频率

860MHz

引脚数量

4

JESD-30代码

O-CRPM-F4

配置

SINGLE

功率耗散

15W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

45V

最大集电极电流

1.25A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 200mA 5V

增益

11.5dB

频率转换

470MHz~860MHz

发射极基极电压 (VEBO)

3.5V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准