Mitsubishi CM150E3U-24H
- 收藏
- 对比
CM150E3U-24H
1645-CM150E3U-24H
晶体管 - IGBT - 模块
--
大陆
立即发货

IGBT MODULE, 1.2KV, 150A, MODULE, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:150A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV, Power Dissipation Pd:890W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, No. of Pins:5Pins RoHS Compliant: Ye
1最小包装量--
CM150E3U-24H详情
Mitsubishi CM150E3U-24H重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
hFEMin
50
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
UNSPECIFIED
Turn-on Time-Nom (ton)
200 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
650 ns
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
CM150E3U-24H
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Powerex Power Semiconductors
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
POWEREX INC
Risk Rank
5.29
包装
Bulk
无铅代码
有
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
绝缘栅BIP晶体管
最大功率耗散
625 mW
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XUFM-X5
资历状况
不合格
极性
PNP
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Single
功率耗散
625 mW
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
MOTOR CONTROL
增益带宽积
100 MHz
极性/通道类型
N-CHANNEL
集电极发射器电压(VCEO)
80 V
最大集电极电流
800 mA
集电极基极电压(VCBO)
80 V
最大耗散功率(Abs)
890 W
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
集电极电流-最大值(IC)
150 A
集电极-发射器电压-最大值
1200 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
3.7 V
CM150E3U-24H拓展信息
Mitsubishi Materials U.S.A
Mitsubishi Materials U.S.A
Mitsubishi Materials U.S.A
Mitsubishi Materials U.S.A
Mitsubishi Materials U.S.A
Mitsubishi
Mitsubishi
Mitsubishi
Mitsubishi
Mitsubishi







哦! 它是空的。