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首页 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 CM150E3U-24H
CM150E3U-24H
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Mitsubishi CM150E3U-24H

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型号

CM150E3U-24H

品牌

Mitsubishi

utmel 编号

1645-CM150E3U-24H

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT MODULE, 1.2KV, 150A, MODULE, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:150A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV, Power Dissipation Pd:890W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, No. of Pins:5Pins RoHS Compliant: Ye

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CM150E3U-24H
CM150E3U-24H Mitsubishi IGBT MODULE, 1.2KV, 150A, MODULE, Transistor Polarity:N Channel, DC Collector Current:150A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.2kV, Power Dissipation Pd:890W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV, No. of Pins:5Pins RoHS Compliant: Ye

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CM150E3U-24H详情

技术参数

Mitsubishi CM150E3U-24H重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 底架

    通孔

  • 表面安装

    NO

  • 引脚数

    3

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • hFEMin

    50

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Compliant

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    200 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    650 ns

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

    有

  • Manufacturer Part Number

    CM150E3U-24H

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Powerex Power Semiconductors

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    POWEREX INC

  • Risk Rank

    5.29

  • 包装

    Bulk

  • 无铅代码

    有

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 子类别

    绝缘栅BIP晶体管

  • 最大功率耗散

    625 mW

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X5

  • 资历状况

    不合格

  • 极性

    PNP

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    625 mW

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    MOTOR CONTROL

  • 增益带宽积

    100 MHz

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    80 V

  • 最大集电极电流

    800 mA

  • 集电极基极电压(VCBO)

    80 V

  • 最大耗散功率(Abs)

    890 W

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    5 V

  • 集电极电流-最大值(IC)

    150 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1200 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    3.7 V

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