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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.956
10
¥1.84528
100
¥1.740833
500
¥1.642298
1000
¥1.549333
Nexperia USA Inc. PBSS5160V,115
- 收藏
- 对比
PBSS5160V,115
1729-PBSS5160V,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
SOT-563, SOT-666
大陆
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TRANS PNP 60V 0.9A SOT666
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS5160V,115详情
Nexperia USA Inc. PBSS5160V,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
500mW
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
220MHz
Current-Collector (Ic) (Max)
900mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
已出版
2009
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
150°C TJ
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
频率
220MHz
基本部件号
PBSS5160
元素配置
Single
功率耗散
500mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
1A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
150 @ 500mA 5V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
330mV @ 100mA, 1A
转换频率
220MHz
最大击穿电压
60V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
无铅
无铅
PBSS5160V,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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