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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.89914
10
¥0.848245
100
¥0.800231
500
¥0.754936
1000
¥0.712204
Nexperia USA Inc. PBSS5250X,115
- 收藏
- 对比
PBSS5250X,115
1729-PBSS5250X,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
大陆
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PBSS5250X Series 50 V 2 A Surface Mount PNP Low VCEsat (BISS) Transistor -SOT-89
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS5250X,115详情
Nexperia USA Inc. PBSS5250X,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
380mV
Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)
100MHz
Power Dissipation (Max)
1W
Number of Elements
1
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2003
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
终端形式
FLAT
频率
100MHz
基本部件号
PBSS5250
元素配置
Single
功率耗散
1W
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 1A 2V
最大集极截止电流
100nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
320mV @ 200mA, 2A
转换频率
100MHz
最大击穿电压
50V
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
1.6mm
长度
4.6mm
宽度
2.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PBSS5250X,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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