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1

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10

￥0.158288
100

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500

￥0.140875
1000

￥0.132901

Nexperia USA Inc. PDTD113ZT,215

Name: PDTD113ZT,215
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1729-PDTD113ZT,215
Price: 0.17 USD
Availability: InStock
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对比

型号

PDTD113ZT,215

品牌

Nexperia USA Inc.

utmel 编号

1729-PDTD113ZT,215

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PDTD113ZT - NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm

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PDTD113ZT,215 Nexperia USA Inc. PDTD113ZT - NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistor; R1 = 1 kOhm, R2 = 10 kOhm

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PDTD113ZT,215详情

技术参数

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型号对比

Nexperia USA Inc. PDTD113ZT,215重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
触点镀层

Tin
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Number of Elements

1
hFEMin

70
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2005
JESD-609代码

e3
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-65°C
附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大功率耗散

250mW
端子位置

DUAL
终端形式

鸥翼
基本部件号

PDTD113
引脚数量

3
最大输出电流

500mA
工作电源电压

50V
极性

NPN
元素配置

Single
功率耗散

250mW
晶体管应用

SWITCHING
晶体管类型

NPN - Pre-Biased
集电极发射器电压(VCEO)

50V
最大集电极电流

500mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 50mA 5V
最大集极截止电流

500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 2.5mA, 50mA
最大击穿电压

50V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
电阻基(R1)

1 k Ω
电阻-发射极基极(R2)

10 k Ω
达到SVHC

无SVHC
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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PDTD113ZT,215拓展信息

热销零件