Nexperia USA Inc. PDTD143ETR

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

最大功率耗散

320mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

320mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Pre-Biased

集电极发射器电压(VCEO)

100mV

最大集电极电流

500mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 50mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

100mV @ 2.5mA, 50mA

转换频率

225MHz

频率转换

225MHz

电阻基(R1)

4.7 k Ω

电阻-发射极基极(R2)

4.7 k Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant