Nexperia USA Inc. PMBTA45,215

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

500V

hFEMin

50

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

35MHz

Power Dissipation (Max)

300mW

Number of Elements

1

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2008

操作温度

150°C TJ

容差

5%

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

Axial

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

频率

35MHz

基本部件号

PMBTA45

元素配置

Single

功率耗散

300mW

晶体管应用

SWITCHING

测试电流

20mA

极性/通道类型

NPN

齐纳电压

12V

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

500V

最大集电极电流

150mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 50mA 10V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

90mV @ 6mA, 50mA

转换频率

35MHz

最大击穿电压

500V

集电极基极电压(VCBO)

500V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

外径

2.6 mm

齐纳电流

500mA

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅