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Nihon Inter Electronics Corporation P2HM1102H

Name: P2HM1102H
Brand: Nihon Inter Electronics Corporation
SKU: 1244-P2HM1102H
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

P2HM1102H

品牌

Nihon Inter Electronics Corporation

utmel 编号

1244-P2HM1102H

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 250V, 0.033ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-8

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P2HM1102H Nihon Inter Electronics Corporation Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 250V, 0.033ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-8

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P2HM1102H详情

技术参数

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Nihon Inter Electronics Corporation P2HM1102H重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

NIHON INTER ELECTRONICS CORP
Part Package Code

MODULE
Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8
Drain Current-Max (ID)

80 A
Number of Elements

2
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

UNSPECIFIED
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
ECCN 代码

EAR99
端子位置

UPPER
终端形式

UNSPECIFIED
Reach合规守则

unknown
引脚数量

8
JESD-30代码

R-XUFM-X8
资历状况

不合格
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.033 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

220 A
DS 击穿电压-最小值

250 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: Nihon Inter Electronics Corporation P2HM1102H.

数据表 :
d5139b4dc6268d97da120dbf0fcbf362.pdf

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