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Nihon Inter Electronics Corporation PDM5001

Name: PDM5001
Brand: Nihon Inter Electronics Corporation
SKU: 1244-PDM5001
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

PDM5001

品牌

Nihon Inter Electronics Corporation

utmel 编号

1244-PDM5001

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: Power Field-Effect Transistor, 390A I(D), 100V, 0.00056ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-7

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PDM5001 Nihon Inter Electronics Corporation Description: Power Field-Effect Transistor, 390A I(D), 100V, 0.00056ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-7

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PDM5001详情

技术参数

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Nihon Inter Electronics Corporation PDM5001重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

7
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

NIHON INTER ELECTRONICS CORP
Part Package Code

MODULE
Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Drain Current-Max (ID)

390 A
Number of Elements

2
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

UNSPECIFIED
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
ECCN 代码

EAR99
端子位置

UPPER
终端形式

UNSPECIFIED
Reach合规守则

unknown
引脚数量

7
JESD-30代码

R-XUFM-X7
资历状况

不合格
配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

ISOLATED
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.00056 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1000 A
DS 击穿电压-最小值

100 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: Nihon Inter Electronics Corporation PDM5001.

数据表 :
NIHOS04753-1.pdf

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