IRF730
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NTE ELECT IRF730

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型号

IRF730

品牌

NTE ELECT

utmel 编号

1780-IRF730

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220

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IRF730 NTE ELECT MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220

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IRF730详情

NTE ELECT IRF730重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

  • 供应商器件包装

    SOD-80

  • Impedance (Max) (Zzt)

    35 Ohms

  • Package

    Bag

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    5.5A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    NTE Electronics, Inc

  • Power Dissipation (Max)

    74W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    175°C

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 容差

    ±2%

  • 零件状态

    活跃

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 反向泄漏电流@ Vr

    100nA @ 19V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.1V @ 200mA

  • 功率 - 最大

    500mW

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1Ohm @ 3.3A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    700 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    38 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    400 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 电压 - 齐纳(标准值)(Vz)

    25V

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

IRF730拓展信息

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