NTE Electronics, Inc. NTE102A

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-1-3 Metal Can

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-1

质量

7.257478 g

终端数量

3

晶体管元件材料

GERMANIUM

Manufacturer Part Number

NTE102A

Manufacturer

NTE Electronics

Emitter-Base Voltage

10(V)

Operating Temperature Classification

Industrial

Package Type

TO-1

Transistor Polarity

PNP

Collector-Base Voltage

32(V)

Category

双极小信号

Operating Temp Range

-55C TO 90C

Collector Current (DC)

1(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Collector-Emitter Saturation Voltage

170 mV

Schedule B

8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080/8541210080/8541210080

RoHS

Compliant

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Transition Frequency-Nom (fT)

2.3 MHz

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

Transistor; Medium Power; PNP; 10 V (Max.); 32 V (Max.); 1 A; 650 mW (Max.)

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

1.81

操作温度

90°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

90 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

650 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

额定电流

1 A

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

极性

PNP

配置

Single

功率耗散

0.65(W)

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

650 mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

10 V

最大集电极电流

1 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

69 @ 300mA, 0V

最大集极截止电流

25µA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-1

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

170mV @ 50mA, 500mA

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

32 V

最大耗散功率(Abs)

0.9 W

发射极基极电压 (VEBO)

10 V

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

69

集电极-发射器电压-最大值

32 V

宽度

76.2 mm

高度

10.3886 mm

长度

152.4 mm

直径

6.09 mm

达到SVHC

无SVHC