NTE Electronics, Inc. NTE108-1
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NTE108-1
1780-NTE108-1
分立半导体产品
TO-106-3 Domed
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Silicon, NPN, TO-106, TO-106, 3 PIN
1最小包装量--
NTE108-1详情
NTE Electronics, Inc. NTE108-1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-106-3 Domed
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-106
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE108-1
Manufacturer
NTE Electronics
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
50mA
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transition Frequency-Nom (fT)
800 MHz
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.12
Part Package Code
TO-106
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
625mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 8mA, 10V
JEDEC-95代码
TO-106
增益
15dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
15V
频率转换
600MHz
最大耗散功率(Abs)
0.625 W
集电极电流-最大值(IC)
0.05 A
最小直流增益(hFE)
20
集电极-发射器电压-最大值
15 V
噪音数字(分贝类型@ f)
6dB @ 60MHz
NTE108-1拓展信息







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