NTE Electronics, Inc. NTE129

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-39

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE129

Manufacturer

NTE Electronics

Emitter-Base Voltage

5(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-39

Transistor Polarity

PNP

Collector-Base Voltage

80(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

1(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

75

Mounting

通孔

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

150 MHz

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.07

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

其他晶体管

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

频率

400(MHz)

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

功率耗散

1.25(W)

箱体转运

COLLECTOR

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

1.25 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

最大集极截止电流

50nA (ICBO)

JEDEC-95代码

TO-39

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

最大耗散功率(Abs)

1 W

集电极电流-最大值(IC)

1 A

最小直流增益（hFE）

90