NTE Electronics, Inc. NTE159M
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NTE159M
1780-NTE159M
分立半导体产品
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
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RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, Silicon, PNP, TO-18, TO-18, 3 PIN
1最小包装量--
NTE159M详情
NTE Electronics, Inc. NTE159M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-18
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE159M
Manufacturer
NTE Electronics
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
600 mA
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.08
Part Package Code
BCY
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
附加功能
低噪音
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
1.8 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
50nA
JEDEC-95代码
TO-18
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
60 V
频率转换
200MHz
最大耗散功率(Abs)
0.4 W
集电极电流-最大值(IC)
0.6 A
最小直流增益(hFE)
100
NTE159M拓展信息







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