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技术文档
型号
NTE175
品牌
NTE Electronics, Inc.
utmel 编号
1780-NTE175
商品类别
分立半导体产品
封装
TO-213AA, TO-66-2
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2 Pin
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NTE175详情
技术参数
NTE Electronics, Inc. NTE175重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-66
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
Manufacturer
NTE Electronics
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
2 A
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
15 MHz
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
1.72
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-MBFM-P2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
35 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 100mA, 10V
最大集极截止电流
5mA
JEDEC-95代码
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
750mV @ 125mA, 1A
电压 - 集射极击穿(最大值)
300 V
频率转换
15MHz
最大耗散功率(Abs)
40 W
集电极电流-最大值(IC)
最小直流增益(hFE)
8
集电极-发射器电压-最大值
环境耗散-最大值
NTE175拓展信息
热销零件
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:NTE88
封装:TO-204AA, TO-3
品牌:NTE Electronics, Inc.
库存:0
型号:NTE124
封装:TO-213AA, TO-66-2
型号:NTE182
封装:TO-225AB, TO-127-3
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型号:NTE103
型号:NTE263
封装:TO-220-3
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