NTE Electronics, Inc. NTE186

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-202 Long Tab

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-202

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE186

Manufacturer

NTE Electronics

Emitter-Base Voltage

5(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-202

Transistor Polarity

NPN

Category

双极电源

Operating Temp Range

-55C to 150C

Collector Current (DC)

3(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

3 A

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Transition Frequency-Nom (fT)

50 MHz

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

1.72

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

频率

50(MHz)

引脚数量

3 +Tab

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

功率耗散

2.1(W)

箱体转运

COLLECTOR

输出功率

Not Required(W)

功率 - 最大

2.1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 200mA, 1V

最大集极截止电流

10µA

JEDEC-95代码

TO-202

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 50mA, 1A

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

50MHz

最大耗散功率(Abs)

12 W

集电极电流-最大值(IC)

3 A

最小直流增益（hFE）

20

集电极-发射器电压-最大值

60 V

环境耗散-最大值

12.5 W