NTE Electronics, Inc. NTE192
- 收藏
- 对比
NTE192
1780-NTE192
分立半导体产品
TO-92HS
大陆
立即发货

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92HS, 3 PIN
1最小包装量--
NTE192详情
NTE Electronics, Inc. NTE192重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-92HS
引脚数
3
供应商器件包装
TO-92HS
质量
4.535924 g
Manufacturer Part Number
NTE192
Manufacturer
NTE Electronics
Emitter-Base Voltage
5(V)
Operating Temperature Classification
Military
Package Type
TO-92HS
Transistor Polarity
NPN
Collector-Base Voltage
50(V)
Category
双极小信号
Operating Temp Range
-55C to 150C
Collector Current (DC)
0.5(A)
Number of Elements
1
Rad Hardened
无
DC Current Gain
Mounting
通孔
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50 V
RoHS
Compliant
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
500 mA
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
900 mW
引脚数量
3
极性
NPN
配置
Single
功率耗散
0.56(W)
输出功率
Not Required(W)
功率 - 最大
560 mW
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
50 V
最大集电极电流
500 mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 2mA, 4.5V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 3mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
50 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
宽度
101.6 mm
高度
6.35 mm
长度
152.4 mm
达到SVHC
无SVHC
NTE192拓展信息







哦! 它是空的。