NTE Electronics, Inc. NTE193
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NTE193
1780-NTE193
分立半导体产品
TO-92HS
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92HS, 3 PIN
1最小包装量--
NTE193详情
NTE Electronics, Inc. NTE193重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-92HS
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-92HS
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE193
Manufacturer
NTE Electronics
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
500 mA
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, O-PBFM-W3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
120 MHz
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.13
Part Package Code
TO-92HS
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBFM-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
560 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 2mA, 4.5V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 3mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
0.7 W
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
最小直流增益(hFE)
180
集电极-发射器电压-最大值
50 V
环境耗散-最大值
1 W
NTE193拓展信息







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