NTE Electronics, Inc. NTE210
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NTE210
1780-NTE210
分立半导体产品
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-202, Plastic/Epoxy, 3 Pin
1最小包装量--
NTE210详情
NTE Electronics, Inc. NTE210重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
质量
136.077711 g
Manufacturer Part Number
NTE210
Manufacturer
NTE Electronics
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
75 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
1.67 W
频率
375 MHz
极性
NPN
功率耗散
1.67 W
集电极发射器电压(VCEO)
75 V
最大集电极电流
1 A
最高频率
375 MHz
转换频率
375 MHz
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
宽度
76.2 mm
高度
19.05 mm
长度
101.6 mm
达到SVHC
Unknown
NTE210拓展信息







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