NTE Electronics, Inc. NTE214
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NTE214
1780-NTE214
分立半导体产品
TO-3P-3, SC-65-3
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3P, 3 PIN
1最小包装量--
NTE214详情
NTE Electronics, Inc. NTE214重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-3P
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE214
Manufacturer
NTE Electronics
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
10 A
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
20 MHz
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
1.75
Part Package Code
TO-3P
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
2.5 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN - Darlington
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
2000 @ 5A, 2V
最大集极截止电流
100µA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 10mA, 5A
电压 - 集射极击穿(最大值)
60 V
频率转换
20MHz
最大耗散功率(Abs)
60 W
集电极电流-最大值(IC)
10 A
最小直流增益(hFE)
2000
集电极-发射器电压-最大值
60 V
环境耗散-最大值
60 W
NTE214拓展信息







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