NTE Electronics, Inc NTE222

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-72

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

厂商

NTE Electronics, Inc

Package

Bag

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50mA (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

Power Dissipation (Max)

360mW (Ta), 1.2mW (Tc)

Manufacturer Part Number

NTE222

Manufacturer

NTE Electronics

Continuous Drain Current

0.05(A)

Drain-Source On-Volt

25(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-72

Operating Temp Range

-65C to 175C

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W4

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.11

Drain Current-Max (ID)

0.05 A

系列

-

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

ECCN 代码

EAR99

类型

小信号

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

O-MBCY-W4

资历状况

不合格

极性

N

配置

SINGLE

操作模式

DUAL GATE, DEPLETION MODE

功率耗散

0.36(W)

箱体转运

SOURCE

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

AMPLIFIER

Rds On(Max)@Id,Vgs

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 20μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3300 pF @ 15 V

漏源电压 (Vdss)

25 V

Vgs（最大值）

-

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-72

DS 击穿电压-最小值

25 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.33 W

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

0.03 pF

最高频段

甚高频段

功率增益-最小值(Gp)

14 dB