NTE Electronics, Inc. NTE2310
- 收藏
- 对比
NTE2310
1780-NTE2310
分立半导体产品
TO-218-3
大陆
立即发货

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin,
1最小包装量--
NTE2310详情
NTE Electronics, Inc. NTE2310重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-218-3
表面安装
NO
引脚数
3
供应商器件包装
TO-218
质量
7.257478 g
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE2310
Manufacturer
NTE Electronics
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.5 V
RoHS
Compliant
Collector-Emitter Breakdown Voltage
450 V
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
8 A
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
1.71
操作温度
175°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
最大功率耗散
125 W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
额定电流
8 A
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
极性
NPN
配置
SINGLE
功率耗散
125 W
功率 - 最大
125 W
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
450 V
最大集电极电流
8 A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
-
最大集极截止电流
1mA
JEDEC-95代码
TO-218
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.5V @ 1.2A, 6A
电压 - 集射极击穿(最大值)
450 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
125 W
发射极基极电压 (VEBO)
1.5 V
集电极电流-最大值(IC)
8 A
最小直流增益(hFE)
10
集电极-发射器电压-最大值
450 V
环境耗散-最大值
125 W
宽度
4.3942 mm
高度
13.97 mm
长度
15.24 mm
NTE2310拓展信息







哦! 它是空的。