NTE Electronics, Inc. NTE2353
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NTE2353
1780-NTE2353
分立半导体产品
TO-3P-3 Full Pack
大陆
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-3PML, 3 PIN
--最小包装量--
NTE2353详情
NTE Electronics, Inc. NTE2353重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3 Full Pack
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-3PML
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE2353
Manufacturer
NTE Electronics
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
10 A
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.11
Part Package Code
TO-3PML
操作温度
150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
70 W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
8 @ 1A, 5V
最大集极截止电流
1mA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
5V @ 1.6A, 8A
电压 - 集射极击穿(最大值)
800 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
70 W
集电极电流-最大值(IC)
10 A
最小直流增益(hFE)
5
集电极-发射器电压-最大值
800 V
环境耗散-最大值
70 W
NTE2353拓展信息







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