NTE Electronics, Inc. NTE2356
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NTE2356
1780-NTE2356
分立半导体产品
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN
1最小包装量--
NTE2356详情
NTE Electronics, Inc. NTE2356重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-92S
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE2356
Manufacturer
NTE Electronics
Typical Resistor Ratio
1
Package Type
TO-92
Typical Input Resistor
10
Collector Current (DC)
0.2(A)
Emitter-Collector Voltage (Max)
50(V)
DC Current Gain
50
Package
Bag
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
厂商
NTE Electronics, Inc
Product Status
活跃
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Transition Frequency-Nom (fT)
200 MHz
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.15
Part Package Code
TO-92
系列
-
ECCN 代码
EAR99
类型
PNP
HTS代码
8541.21.00.75
子类别
BIP 通用小信号
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
Single
功率耗散
0.3(W)
功率 - 最大
300 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP - Pre-Biased
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 500µA, 10mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50 V
频率转换
200 MHz
最大耗散功率(Abs)
0.3 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益(hFE)
50
电阻基(R1)
10 kOhms
电阻-发射极基极(R2)
10 kOhms
集电极-发射器电压-最大值
50 V
NTE2356拓展信息







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