NTE Electronics, Inc. NTE2365

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-3P-3 Full Pack

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-3PBL

质量

7.257478 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE2365

Manufacturer

NTE Electronics

Collector-Emitter Saturation Voltage

5 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

800 V

Voltage Rating (DC)

800 V

RoHS

Compliant

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

15 A

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.11

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

其他晶体管

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

12 A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

SINGLE

功率耗散

180 W

功率 - 最大

180 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

800 V

最大集电极电流

15 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

8 @ 1A, 5V

最大集极截止电流

1mA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

5V @ 2.5A, 10A

电压 - 集射极击穿（最大值）

800 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

1.5 kV

最大耗散功率(Abs)

180 W

发射极基极电压 (VEBO)

6 V

集电极电流-最大值(IC)

12 A

最小直流增益（hFE）

4

集电极-发射器电压-最大值

800 V

宽度

5.207 mm

高度

26.162 mm

长度

20.5486 mm