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NTE Electronics, Inc. NTE2373

Name: NTE2373
Brand: NTE Electronics, Inc.
SKU: 1780-NTE2373
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NTE2373

品牌

NTE Electronics, Inc.

utmel 编号

1780-NTE2373

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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NTE2373详情

技术参数

NTE Electronics, Inc. NTE2373重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3
引脚数

3
供应商器件包装

TO-220
Manufacturer Part Number

NTE2373
Manufacturer

NTE Electronics
RoHS

Compliant
Package

Bag
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

NTE Electronics, Inc
Power Dissipation (Max)

125W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

125 W
技术

MOSFET (Metal Oxide)
通道数量

1
功率耗散

125 W
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

500mOhm @ 6.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1200 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

-200 V
Vgs（最大值）

±20V
连续放电电流(ID)

11 A
阈值电压

4 V
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
恢复时间

300 ns
场效应管特性

-
漏源电阻

500 mΩ
栅源电压

2 V
达到SVHC

Unknown

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