NTE Electronics, Inc. NTE2376

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-247

质量

72.574779 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE2376

Manufacturer

NTE Electronics

Continuous Drain Current

30(A)

Drain-Source On-Volt

200(V)

Operating Temperature Classification

Military

Package Type

TO-247

Operating Temp Range

-55C to 150C

Gate-Source Voltage (Max)

±20(V)

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

70 ns

Package

Bag

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NTE Electronics, Inc

Power Dissipation (Max)

190W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

2.11

Drain Current-Max (ID)

30 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

类型

功率MOSFET

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

190 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3 +Tab

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

极性

N

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

190(W)

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

85mOhm @ 18A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2800 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

140 nC @ 10 V

上升时间

86 ns

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

30 A

阈值电压

4 V

JEDEC-95代码

TO-247

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

30 A

漏极-源极导通最大电阻

0.085 Ω

漏源击穿电压

200 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

410 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

190 W

场效应管特性

-

漏源电阻

850 mΩ

栅源电压

4 V

宽度

5.0038 mm

高度

19.9898 mm

长度

15.875 mm

达到SVHC

Unknown