NTE Electronics, Inc. NTE2384

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE2384

Manufacturer

NTE Electronics

Continuous Drain Current

6(A)

Drain-Source On-Volt

800(V)

Operating Temperature Classification

Military

Operating Temp Range

-55C to 150C

Gate-Source Voltage (Max)

±20(V)

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

Mounting

通孔

RoHS

Compliant

Package

Bag

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NTE Electronics, Inc

Power Dissipation (Max)

180W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Turn-on Time-Max (ton)

150 ns

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Turn-off Time-Max (toff)

420 ns

Risk Rank

8.43

Part Package Code

TO-204AA

Drain Current-Max (ID)

6 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

类型

功率MOSFET

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.95

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2 +Tab

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

极性

N

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

180(W)

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4Ohm @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2600 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

900 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

6 A

JEDEC-95代码

TO-3

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

6 A

漏极-源极导通最大电阻

1.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24 A

DS 击穿电压-最小值

800 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

125 W

场效应管特性

-

环境耗散-最大值

125 W