NTE Electronics, Inc. NTE243

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-204AA, TO-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-3

质量

7.257478 g

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

NTE243

Manufacturer

NTE Electronics

Collector-Emitter Saturation Voltage

3 V

Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80 V

Voltage Rating (DC)

80 V

RoHS

Compliant

Package

Bag

Current-Collector (Ic) (Max)

8 A

厂商

NTE Electronics, Inc

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

NTE ELECTRONICS - NTE243 - DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 80V, TO-3

Ihs Manufacturer

NTE ELECTRONICS INC

Risk Rank

1.72

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

其他晶体管

最大功率耗散

100 W

端子位置

BOTTOM

终端形式

PIN/PEG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

8 A

JESD-30代码

O-MBFM-P2

资历状况

不合格

极性

NPN

配置

DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

功率耗散

100 W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

100 W

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

80 V

最大集电极电流

16 A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 4A, 3V

最大集极截止电流

500µA

JEDEC-95代码

TO-3

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

3V @ 80mA, 8A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

80 V

最大耗散功率(Abs)

100 W

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

8 A

最小直流增益（hFE）

100

集电极-发射器电压-最大值

80 V

环境耗散-最大值

150 W

宽度

76.2 mm

高度

8.89 mm

长度

152.4 mm

直径

22.2 mm

达到SVHC

无SVHC