NTE Electronics, Inc. NTE2504
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NTE2504
1780-NTE2504
分立半导体产品
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-126LP, 3 PIN
1最小包装量--
NTE2504详情
NTE Electronics, Inc. NTE2504重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
3
质量
7.257478 g
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NTE2504
Manufacturer
NTE Electronics
Collector-Emitter Breakdown Voltage
25 V
RoHS
Compliant
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
260 MHz
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
NTE ELECTRONICS INC
Risk Rank
2.15
Part Package Code
SIP
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
其他晶体管
最大功率耗散
200 mW
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
极性
NPN
配置
SINGLE
功率耗散
200 mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
25 V
最大集电极电流
4 A
转换频率
260 MHz
集电极基极电压(VCBO)
30 V
最大耗散功率(Abs)
1.2 W
发射极基极电压 (VEBO)
15 V
集电极电流-最大值(IC)
2 A
最小直流增益(hFE)
800
集电极-发射器电压-最大值
25 V
宽度
76.2 mm
高度
12.7 mm
长度
152.4 mm
NTE2504拓展信息







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